China Elektronische IC-Spaander fabrikant

De beste Dienst, Beste Spaander

De Grootste One-Stop Verwerving van China van Componenten

Dutch
Verzoek om een Citaat
Producten

H30R1602 de Apparatenihw30n160r2 IGBT Transistor van de machts Afzonderlijke Halfgeleider

H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
Basisinformatie
Merknaam: Infineon Technoctifier Ilogies/International ReOR
Modelnummer: IHW30N160R2FKSA1
Min. bestelaantal: 1 stuk
Levertijd: 2~8 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Beste prijs Contact nu
Merk: Infineon Technologies/Internationale Gelijkrichter IOR Certificaat: /
Model: IHW30N160R2FKSA1 MOQ: 1 PC
Prijs: Negotiated Levering: 2~8 werkdagen
Betaling: T/T
Hoog licht:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten

,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

,

IHW30N160R2

Productomschrijving

 

Van de de Transistorsh30r1602 Zachte Omschakeling van IHW30N160R2 IGBTs van de de Reeksmacht van de Halfgeleidersic IHW30N160R2FKSA1 Zachte de Omschakelingsreeks

 

Toepassingen:
• Het aanleidinggevende Koken
• Zachte Omschakelingstoepassingen

 

Beschrijving:

TrenchStop®omgekeerde die IGBT (van RC-) leiden met monolithische lichaamsdiode
Eigenschappen:
• Krachtige monolithische Lichaamsdiode met zeer laag voorwaarts voltage
• De klemmen van de lichaamsdiode verbieden voltages
• Geul en Fieldstop-technologie voor 1600 V-toepassingenaanbiedingen:
- zeer strakke parameterdistributie
- hoge ruwheid, temperatuur stabiel gedrag
• NPT de technologie biedt gemakkelijk parallel omschakelingsvermogen toe te schrijven aan aan
positieve temperatuurcoëfficiënt in (gezeten) VCE
• Lage EMI
• Gekwalificeerd volgens JEDEC1
voor doeltoepassingen
• Pb-vrij loodplateren; Volgzame RoHS

 

Specificatie: IGBT NPT, Einde 1600 V 60 A 312 W van het Geulgebied door Gat pg-to247-3-1

ArtikelnummerIHW30N160R2
Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
　
De transistors - IGBTs - kiezen uit
Reeks
TrenchStop®
Pakket
Buis
IGBT-Type
NPT, het Einde van het Geulgebied
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender
1600 V
Huidig - Collector ((Maximum) Ic)
60 A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm)
90 A
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Maximum macht -
312 W
Omschakelingsenergie
4.37mJ
Inputtype
Norm
Poortlast
nC 94
(On/off) Td @ 25°C
-/525ns
Beproevingsomstandigheid
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type
Door Gat
Pakket/Geval
Aan-247-3
Het Pakket van het leveranciersapparaat
Pg-to247-3-1
 

label:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten,

IRFB4310PBF,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

Contactgegevens
Meer Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten
China Goed Kwaliteit Elektronische IC-Spaander Leverancier. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.