China Elektronische IC-Spaander fabrikant

De beste Dienst, Beste Spaander

De Grootste One-Stop Verwerving van China van Componenten

Dutch
Verzoek om een Citaat
Producten

PBHV8540X de afzonderlijke Bipolaire BJT Transistor van Halfgeleiderapparaten PBHV8540 Nexperia

PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor
PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor PBHV8540X Discrete Semiconductor Devices PBHV8540 Nexperia Bipolar BJT Transistor
Basisinformatie
Merknaam: Nexperia USA Inc
Modelnummer: PBHV8540X, 115
Min. bestelaantal: 1 stuk
Levertijd: 2~8 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Beste prijs Contact nu
Merk: Nexperia de V.S. N.v. Certificaat: /
Model: PBHV8540X, 115 MOQ: 1 PC
Prijs: Negotiated Levering: 2~8 werkdagen
Betaling: T/T
Hoog licht:

Apparaten van de Nexperia de Afzonderlijke Halfgeleider

,

PBHV8540 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten

,

PBHV8540X

Productomschrijving

 

Bipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

 

De Bipolaire (BJT) Transistor 500V lage VCEsat (BISS) transistor de met hoog voltage 0,5 van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia van A NPN A NPN

Afzonderlijke Halfgeleider product-A NPN lage VCEsat (BISS) transistor met hoog voltage

 

 

Beschrijving:

Lage VCEsat Doorbraak de met hoog voltage van NPN in Kleine Signaal (BISS) transistor het middelhoogvermogen en vlakke lood oppervlakte-Opgezette Apparaten (SMD) plastic pakket in van een SOT89 (Sc-62). PNP-aanvulling: PBHV9040X.

 

Toepassing:

• HOOFDbestuurder voor LEIDENE kettingsmodule

• LCD het backlighting

• Automobielmotorbeheer

• Haakschakelaar voor getelegrafeerde telecommunicatie

• De Voeding van de schakelaarwijze (SMPS)

 

Eigenschappen:

• Hoogspanning

• Laag collector-zender verzadigingsvoltage VCEsat

• Hoog collector huidig vermogen IC en ICM

• Hoge collector huidige aanwinst hFE in hoog IC

• Aec-Q101 gekwalificeerd

 

De Versie van de naambeschrijving

Het oppervlakte-opgezette pakket van PBHV8540X SOT89 plastiek; matrijzenstootkussen voor goede hitteoverdracht; 3 lood

Product Technische Beschrijvingen

 

Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
　
De Bipolaire transistors - (BJT) - kiezen uit
Mfr
Inc. van de Nexperiav.s.
Deelstatus
Actief
Transistortype
NPN
Huidig - Collector ((Maximum) Ic)
500 mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender
400 V
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic
250mV @ 60mA, 300mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding
100nA
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Maximum macht -
520 mw
Frequentie - Overgang
30MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Opzettend Type
De oppervlakte zet op
Pakket/Geval
Aan-243AA
Het Pakket van het leveranciersapparaat
Dronkaard-89
Het Aantal van het basisproduct
PBHV8540
Artikelnummer PBHV8540X, 115
De EU RoHS Volgzaam met Vrijstelling
ECCN (vs) EAR99
Deelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95

 

Beelden:

Bipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders 0 van PBHV8540X PBHV8540 NexperiaBipolaire BJT de Transistor Afzonderlijke Halfgeleiders 1 van PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

 

 

 

 

 

 

Markering:

MOSFET van de Infineonhexfet Macht

MOSFET N Kanaal 55V 30A

de Machtsmosfet van 55V 30A HEXFET

label:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten,

IRFB4310PBF,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

Contactgegevens
Meer Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten
China Goed Kwaliteit Elektronische IC-Spaander Leverancier. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.