China Elektronische IC-Spaander fabrikant

De beste Dienst, Beste Spaander

De Grootste One-Stop Verwerving van China van Componenten

Dutch
Verzoek om een Citaat
Producten

IRF1404ZPBF N-kanaaltransistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Basisinformatie
Merknaam: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Modelnummer: IRF1404ZPBF
Min. bestelaantal: 1 stuk
Levertijd: 2~8 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Beste prijs Contact nu
Merk: Infineon Technologies/Internationale Gelijkrichter IOR Certificaat: /
Model: IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Prijs: Negotiated Levering: 2~8 werkdagen
Betaling: T/T
Hoog licht:

200W n-Kanaaltransistor

,

180A n-Kanaaltransistor

,

IRF1404ZPBF

Productomschrijving

IRF1404ZPBF n-FET van de Kanaaltransistor 180A 200W HEXFET MOSFET

 

IRF1404ZPBF transistorsn-channel 180A 200W door Gaten aan-220AB HEXFET FETs MOSFETs

 

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Door Gaten aan-220AB Specificatie:

Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
　
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Mfr
Infineon Technologies
Reeks
HEXFET®
Pakket
Buis
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)
40 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C
180A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart
4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs
nC 150 @ 10 V
(Maximum) Vgs
±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds
4340 pF @ 25 V
FET Eigenschap
-
(Maximum) machtsdissipatie
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type
Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat
Aan-220AB
Pakket/Geval
Aan-220-3
Het Aantal van het basisproduct
IRF1404

 

Beschrijving

Dit HEXFET® Machtsmosfet gebruikt de recentste verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied.

De extra eigenschappen van dit product zijn een 175°C-verbindings werkende temperatuur, een snelle omschakelingssnelheid en een betere herhaalde lawineclassificatie. Deze eigenschappen combineren om tot dit ontwerp een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen te maken.

label:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten,

IRFB4310PBF,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

Contactgegevens
Meer Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten
China Goed Kwaliteit Elektronische IC-Spaander Leverancier. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.