China Elektronische IC-Spaander fabrikant

De beste Dienst, Beste Spaander

De Grootste One-Stop Verwerving van China van Componenten

Dutch
Verzoek om een Citaat
Producten

Het Kanaalmosfet 49V 80A van BTS282Z E3230 to220-7 N Transistorsfets

BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs
BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs BTS282Z E3230 TO220-7 N Channel MOSFET 49V 80A Transistors FETs
Basisinformatie
Merknaam: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Modelnummer: BTS282Z E3230
Min. bestelaantal: 1 stuk
Levertijd: 2~8 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Beste prijs Contact nu
Merk: Infineon Technologies/Internationale Gelijkrichter IOR Certificaat: /
Model: BTS282Z E3230 MOQ: 1 PC
Prijs: Negotiated Levering: 2~8 werkdagen
Betaling: T/T
Hoog licht:

BTS282Z n-Kanaalmosfet

,

E3230 n-Kanaalmosfet

,

To220-7

Productomschrijving

 

N-Channel van BTS282Z E3230 to220-7 MOSFET 49V 80A Transistorsfets

 

BTS282ZE3230AKSA2 machtsmosfet van Infineon Technologies. Zijn maximummachtsdissipatie is 300000 mw.

om geen delen te verzekeren niet worden beschadigd door bulk te verpakken, komt dit product in buis verpakking om een weinig meer toe te voegen

bescherming door de losse delen in een buitenbuis op te slaan.

Deze MOSFET transistor heeft een werkende temperatuurwaaier van -40 °C aan 175 °C.

Deze n-kanaalmosfet transistor werkt op verhogingswijze.

 

Specificatie:

Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
　
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Mfr
Infineon Technologies
Reeks
TEMPFET®
Pakket
Buis
Deelstatus
Verouderd
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)
49 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart
2V @ 240µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs
nC 232 @ 10 V
(Maximum) Vgs
±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET Eigenschap
Temperatuur Ontdekkende Diode
(Maximum) machtsdissipatie
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type
Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat
P-to220-7-230
Pakket/Geval
Aan-220-7

 

 

Milieu & de Uitvoerclassificaties
ATTRIBUTEN BESCHRIJVING
RoHSstatus ROHS3 volgzaam
Vochtigheidsvertrouwelijkheidsniveau (MSL) 1 (Onbeperkt)
BEREIKstatus Onaangetast BEREIK
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Artikelnummer BTS282Z E3230
Basisartikelnummer BTS282Z
De EU RoHS Volgzaam met Vrijstelling
ECCN (vs) EAR99
Deelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95
 

label:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten,

IRFB4310PBF,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

Contactgegevens
Meer Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten
China Goed Kwaliteit Elektronische IC-Spaander Leverancier. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.