China Elektronische IC-Spaander fabrikant

De beste Dienst, Beste Spaander

De Grootste One-Stop Verwerving van China van Componenten

Dutch
Verzoek om een Citaat
Producten

MOSFET N van de Infineonhexfet Macht Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Basisinformatie
Merknaam: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Modelnummer: IRLR3915TRPBF
Min. bestelaantal: 1 stuk
Levertijd: 2~8 werkdagen
Betalingscondities: T/T
Beste prijs Contact nu
Merk: Infineon Technologies/Internationale Gelijkrichter IOR Certificaat: /
Model: IRLR3915TRPBF MOQ: 1 PC
Prijs: Negotiated Levering: 2~8 werkdagen
Betaling: T/T
Hoog licht:

MOSFET van de Infineonhexfet Macht

,

HEXFET-Machtsmosfet N Kanaal

,

IRLR3915TRPBF

Productomschrijving

 

MOSFET N van de Infineonhexfet Macht Kanaal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Internationale Gelijkrichterior HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Afzonderlijke Halfgeleiderproducten

 

N-Channel de Oppervlakte 55 van V 30A (Tc) 120W (Tc) zet D-Pak op

 

Beschrijving

Dit HEXFET® Machtsmosfet gebruikt de recentste verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied.

De extra eigenschappen van dit product zijn een 175°C-verbindings werkende temperatuur, een snelle omschakelingssnelheid en een betere herhaalde lawineclassificatie. Deze eigenschappen combineren om tot dit ontwerp een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen te maken.

 

Eigenschappen:

De geavanceerde van de de op-Weerstands175°c Werkende Temperatuur van de Procestechnologie ultra Lage Snelle de Omschakelings Herhaalde Lawine stond tot Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea toe

Product Technische Beschrijvingen

 

Artikelnummer IRLR3915TRPBF
Basisartikelnummer IRLR3915
De EU RoHS Volgzaam met Vrijstelling
ECCN (vs) EAR99
Deelstatus Actief
HTS 8541.29.00.95
Categorie
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
　
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Mfr
Infineon Technologies
Reeks
HEXFET®
Pakket
Band & Spoel (RT)
Deelstatus
Actief
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)
55 V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart
3V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs
nC 92 @ 10 V
(Maximum) Vgs
±16V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds
1870 pF @ 25 V
FET Eigenschap
-
(Maximum) machtsdissipatie
120W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type
De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat
D-Pak
Pakket/Geval
Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Het Aantal van het basisproduct
IRLR3915
 

label:

H30R1602 afzonderlijke Halfgeleiderapparaten,

IRFB4310PBF,

IGBT-Apparaten van de Machts de Afzonderlijke Halfgeleider

Contactgegevens
Meer Afzonderlijke Halfgeleiderapparaten
China Goed Kwaliteit Elektronische IC-Spaander Leverancier. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.